RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Comparez
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Note globale
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Note globale
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
62
85
Autour de 27% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
11.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
6.0
1,843.6
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
85
Vitesse de lecture, GB/s
3,556.6
11.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,843.6
6.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
542
1118
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB Comparaison des RAM
SpecTek Incorporated CONQUR6672GB-A023- 2GB
Qimonda 72T512220EP3SC2 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Essencore Limited IM44GU48N26-FFFHM 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingston 9965640-006.A01G 32GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMAA2GS6CJR8N-XN 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link