Comparação RAM Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB vs InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

Pontuação geral

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Pontuação geral

Diferenças Especificações Comentários

Razões a considerar
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns

62 85

Por volta de 27% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s

3 11.3

Valor médio nos testes

Razões a considerar
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

Velocidade de escrita mais rápida, GB/s

6.0 1,843.6

Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps

21300 6400

Por volta de 3.33 maior largura de banda

Lista completa de especificações técnicas

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCIK 4GB

Características principais

Other

Descrição

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio

5-5-5-15 / 800 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)

542 1118

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns