Comparaison de la RAM Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Note globale

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

27 56

Autour de 52% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

11.8 10.5

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

21300 19200

Autour de 1.11% bande passante supérieure

Raisons de considérer
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

20.1 16.7

Valeur moyenne dans les tests

Liste complète des spécifications techniques

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge

17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

2756 2455

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns