RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB vs G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
29
30
Autour de 3% latence réduite
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.6
12.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.8
7.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
29
30
Vitesse de lecture, GB/s
12.1
16.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.8
12.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2177
3413
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A2K43EB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link