RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB против G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
30
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
12.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.1
16.6
Скорость записи, Гб/сек
7.8
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2177
3413
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A-PB 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-12800CL9-4GBRL 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston ACR24D4S7S8MB-8 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXWB 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C16 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link