RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB vs Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Note globale
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
62
Autour de -130% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.6
7.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.0
5.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
62
27
Vitesse de lecture, GB/s
7.4
14.6
Vitesse d'écriture, GB/s
5.9
11.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1612
2890
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Comparaison des RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M471A2G43BB2-CWE 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
SK Hynix HMT351U6BFR8C-H9 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link