RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB против Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Средняя оценка
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
62
Около -130% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.6
7.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.0
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
62
27
Скорость чтения, Гб/сек
7.4
14.6
Скорость записи, Гб/сек
5.9
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1612
2890
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A-H9 16GB Сравнения RAM
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-CH9 8GB
Team Group Inc. DDR4 2800 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Ramaxel Technology RMSA3230KB78HAF2133 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link