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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB vs SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
Note globale
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
41
Autour de 32% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
10.5
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
7.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
12800
10600
Autour de 1.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
28
41
Vitesse de lecture, GB/s
10.5
10.1
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
7.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
12800
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1570
1484
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB Comparaison des RAM
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G9P1 4GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Comparaison des RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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