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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB vs SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

総合得点
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB

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SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

相違点 仕様 コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB 考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
バグを報告する
  • PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
    28 left arrow 41
    周辺 32% 低遅延
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    10.5 left arrow 10.1
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.4 left arrow 7.1
    テスト平均値
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB 考慮すべき理由
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    12800 left arrow 10600
    周辺 1.21 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR3
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    28 left arrow 41
  • 読み出し速度、GB/s
    10.5 left arrow 10.1
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 7.1
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 12800
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    1570 left arrow 1484

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