Comparaison de la RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB vs Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB vs Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB

Note globale

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

29 43

Autour de 33% latence réduite

Raisons de considérer
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB

Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

11.1 8.9

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

7.3 5.3

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

10600 8500

Autour de 1.25 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB

Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Timings / Vitesse d'horloge

7-7-7-20 / 1066 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

1178 1357

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns