Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB vs Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB

総合得点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB

総合得点

Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB

Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB

相違点仕様コメント

相違点

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB

考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB

バグを報告する

PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns

29 43

周辺 33% 低遅延

Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB

考慮すべき理由
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB

バグを報告する

読み出し速度の高速化、GB/s

11.1 8.9

テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s

7.3 5.3

テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps

10600 8500

周辺 1.25 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6TFR8C-G7 2GB

Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB

主な特徴

メモリータイプ

DDR3 DDR3
PassMarkにおけるレイテンシー、ns

29 43
読み出し速度、GB/s

8.9 11.1
書き込み速度、GB/秒

5.3 7.3
メモリ帯域幅、mbps

8500 10600

Other

商品説明

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
タイミング / クロック速度

7-7-7-20 / 1066 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）

1178 1357

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

最新の比較

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB

Corsair CMR16GX4M2Z3200C16 8GB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB

Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB

Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Kingston 9965525-155.A00LF 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/8G 8GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB

G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB

G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB

Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB

Samsung M471A2K43BB1-CRC 16GB

Kingston KN2M64-ETB 8GB

Kingston KN2M64-ETB 8GB

Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB

Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB

Crucial Technology RM51264BA1339.16FR 4GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB

Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB

Kingston 9965596-035.B00G 4GB

Kingston 9965596-035.B00G 4GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB