Comparaison de la RAM Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 vs Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6 vs Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB

Note globale

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6

Raisons de considérer
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

23 30

Autour de -30% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

16.4 8.6

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

11.7 5.4

Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps

17000 10600

Autour de 1.6 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6

Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

1344 2575

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns