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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2400C11 4GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Corsair CMY8GX3M2A2400C11 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Note globale
Corsair CMY8GX3M2A2400C11 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
35
Autour de 26% latence réduite
Raisons de considérer
Corsair CMY8GX3M2A2400C11 4GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
12.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.7
8.3
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2400C11 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
26
35
Vitesse de lecture, GB/s
12.8
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
8.3
10.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
10600
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2186
2691
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB Comparaison des RAM
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2400C11 4GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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