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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2400C11 4GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB vs Corsair CMY8GX3M2A2400C11 4GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Pontuação geral
Corsair CMY8GX3M2A2400C11 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
35
Por volta de 26% menor latência
Razões a considerar
Corsair CMY8GX3M2A2400C11 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.5
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.7
8.3
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2400C11 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
26
35
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
16.5
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
10.7
Largura de banda de memória, mbps
10600
10600
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 8 9
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2186
2691
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C-H9 4GB Comparações de RAM
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
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Corsair CMY8GX3M2A2400C11 4GB Comparações de RAM
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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