RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
3
16.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
31
65
Autour de -110% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.6
1,592.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
65
31
Vitesse de lecture, GB/s
3,580.8
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,592.0
15.6
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
572
3142
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB Comparaison des RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Kingston 99U5295-011.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GTZ 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GVK 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX3200C20S4/8G 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
A-DATA Technology AO2P32NCSV1-BEVS 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link