RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
28
Autour de 14% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
18.2
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.2
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
28
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
18.2
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
14.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
17000
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
3501
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905701-132.A00G 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFXR 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXK 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link