RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
29
Autour de 17% latence réduite
Raisons de considérer
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
16
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.7
12.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
19200
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
29
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
15.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
25600
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
3546
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR26D4S9D8ME-16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AUC0B 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Mushkin 99[2/7/4]192F 4GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3000D 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link