RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
INTENSO 5641152 4GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs INTENSO 5641152 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
INTENSO 5641152 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
14.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
17000
Autour de 1.13% bande passante supérieure
Raisons de considérer
INTENSO 5641152 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
24
Autour de -4% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
INTENSO 5641152 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
23
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
14.1
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
6.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
17000
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
2215
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
INTENSO 5641152 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 16GB 16G
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FARG 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMD64GX4M4A2400C14 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMU16GX4M2A2400C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link