RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
72
Autour de 67% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
14.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
72
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
14.5
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
8.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
21300
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
1631
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TFTD 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MH-26V 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link