RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
72
Около 67% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
14.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
8.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
19200
Около 1.11 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
72
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
14.5
Скорость записи, Гб/сек
12.5
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
21300
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
1631
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZ20B 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Corsair CMK128GX4M8A2666C16 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link