RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
75
Autour de 68% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16
15
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
6.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
19200
Autour de 1.11 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
24
75
Vitesse de lecture, GB/s
16.0
15.0
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
6.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
19200
21300
Other
Description
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2925
1729
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaison des RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston 9905665-023.A00G 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hewlett-Packard 7EH55AA# 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMSX8GX4M1A2400C16 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C18-8GRS 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSW 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 99U5624-003.A00G 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link