RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Comparez
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB vs Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Note globale
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Note globale
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
86
Autour de 70% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.5
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.3
14.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
26
86
Vitesse de lecture, GB/s
14.2
14.3
Vitesse d'écriture, GB/s
8.5
8.1
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2277
1658
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB Comparaison des RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
SK Hynix HMA851U6DJR6N-XN 4GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link