RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Comparez
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB vs Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Note globale
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Note globale
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
33
73
Autour de 55% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.9
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
15.1
9.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
73
Vitesse de lecture, GB/s
9.1
15.1
Vitesse d'écriture, GB/s
9.9
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2279
1724
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB Comparaison des RAM
Kingston 9965516-071.A00LF 16GB
Kingston 9965516-001.B00LF 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB Comparaison des RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link