RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Comparez
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB vs G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Note globale
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
38
41
Autour de -8% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
14.4
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
11.5
7.2
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
41
38
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
14.4
Vitesse d'écriture, GB/s
7.2
11.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1988
2856
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB Comparaison des RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 99U5700-032.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
AMD R748G2133U2S 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link