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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
33
Autour de 24% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
15.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.9
10.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
33
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
15.3
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
12.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
3315
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB
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Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
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Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
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Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
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AMD AE34G2139U2 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
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