RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Comparez
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Note globale
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Note globale
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.8
16.5
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Signaler un bogue
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
33
33
Vitesse de lecture, GB/s
17.8
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
12.5
11.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
3285
2913
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Team Group Inc. 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGPP.40C0B 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]189F 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link