RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Porównaj
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Wynik ogólny
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
16.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
11.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
33
33
Prędkość odczytu, GB/s
17.8
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
11.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
3285
2913
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZ 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston XK2M26-MIE-NX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Kingmax Semiconductor KSCE88F-B8MO5 2GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link