Porównanie pamięci RAM Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB vs Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB vs Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Wynik ogólny

Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

43 48

Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s

10.5 8.9

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

6.8 5.9

Średnia wartość w badaniach

Powody do rozważenia
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Pełna lista specyfikacji technicznych

Micron Technology 16JSF51264HZ-1G4D1 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
Taktowanie / szybkość zegara

7-7-7-20 / 1333 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

1682 1420

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns