RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Comparez
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Note globale
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Note globale
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
10.4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
34
58
Autour de -71% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.5
2,107.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
58
34
Vitesse de lecture, GB/s
4,025.3
10.4
Vitesse d'écriture, GB/s
2,107.0
7.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
670
2297
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Comparaison des RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR11 4GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17S/8G 8GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link