RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Comparez
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Note globale
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Note globale
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
17000
Autour de 1.51% bande passante supérieure
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
51
Autour de -122% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
21.2
15.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
17.2
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
51
23
Vitesse de lecture, GB/s
15.6
21.2
Vitesse d'écriture, GB/s
11.8
17.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
25600
17000
Other
Description
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Vitesse d'horloge
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2687
4043
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB Comparaison des RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022R432GX2-3600C18A 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FP 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link