RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Confronto
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Punteggio complessivo
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
26
Intorno -24% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.6
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.0
7.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
21
Velocità di lettura, GB/s
12.3
18.6
Velocità di scrittura, GB/s
7.1
14.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1952
3356
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 CL16 8GB 8GB Confronto tra le RAM
Kingston KF560C40-16 16GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C17 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FB 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.16FE1 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6D1 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
A-DATA Technology AO1P24HCST2-BSCS 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3200C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link