RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC5N-DI 8GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Comparez
Nanya Technology M2F8G64CB8HC5N-DI 8GB vs Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Note globale
Nanya Technology M2F8G64CB8HC5N-DI 8GB
Note globale
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2F8G64CB8HC5N-DI 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
35
39
Autour de -11% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
15.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
15.8
9.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
25600
12800
Autour de 2 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2F8G64CB8HC5N-DI 8GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
35
Vitesse de lecture, GB/s
15.4
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.9
15.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
25600
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2614
3415
Nanya Technology M2F8G64CB8HC5N-DI 8GB Comparaison des RAM
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Kingston 99U5428-052.A00LF 8GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48ME-26V 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC5N-DI 8GB
Kingston KHX3200C20S4/16GX 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-TF 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston KHX2800C14D4/4GX 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link