RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Comparez
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Note globale
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Note globale
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
15.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
66
92
Autour de -39% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.9
1,266.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
92
66
Vitesse de lecture, GB/s
2,105.4
15.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,266.1
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
339
1877
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B4G70EMB-CK0 32GB
Panram International Corporation W4U2666P-8G 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FJ 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4R.M8FB1 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston LV26D4S9S8HJ-8 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link