RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Comparez
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Note globale
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Note globale
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
92
Autour de -300% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.7
1,266.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
6400
Autour de 3 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
92
23
Vitesse de lecture, GB/s
2,105.4
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
1,266.1
12.7
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
19200
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
339
2790
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FE 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link