RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Confronto
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Punteggio complessivo
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
16.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
92
Intorno -300% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.7
1,266.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
92
23
Velocità di lettura, GB/s
2,105.4
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,266.1
12.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
339
2790
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Corsair CMSX64GX4M4A2400C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Corsair CMX16GX3M2A1600C11 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FD1 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston KHX3466C16D4/8GX 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Heoriady HX2666DT8G-TD 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Apacer Technology 78.CAGNT.4050B 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GFX 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link