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Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Comparez
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB vs Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Note globale
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Note globale
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
11.1
10.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
7.3
6.8
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
10600
8500
Autour de 1.25% bande passante supérieure
Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
43
Autour de -43% latence réduite
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR3
Latence dans PassMark, ns
43
30
Vitesse de lecture, GB/s
11.1
10.6
Vitesse d'écriture, GB/s
7.3
6.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
8500
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
7-7-7-20 / 1066 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1357
1479
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB Comparaison des RAM
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Comparaison des RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
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