Comparaison de la RAM Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB

Note globale

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Note globale

Différences Spécifications Commentaires

Raisons de considérer
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns

30 71

Autour de 58% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s

10.6 6.1

Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s

6.8 4.8

Valeur moyenne dans les tests

Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB

Bande passante mémoire plus élevée, mbps

10600 8500

Autour de 1.25 bande passante supérieure

Liste complète des spécifications techniques

Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB

Principales caractéristiques

Other

Description

PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
Timings / Vitesse d'horloge

7-7-7-20 / 1066 MHz 7-7-7-20 / 1333 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)

1479 1092

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns