RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT512T64UH8B0FN-3C 512MB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Comparez
Nanya Technology NT512T64UH8B0FN-3C 512MB vs Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Note globale
Nanya Technology NT512T64UH8B0FN-3C 512MB
Note globale
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Nanya Technology NT512T64UH8B0FN-3C 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
17.2
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
72
Autour de -200% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.4
1,323.5
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Nanya Technology NT512T64UH8B0FN-3C 512MB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
72
24
Vitesse de lecture, GB/s
2,616.5
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
1,323.5
12.4
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
329
3204
Nanya Technology NT512T64UH8B0FN-3C 512MB Comparaison des RAM
Nanya Technology NT1GT64UH8D0FN-AD 1GB
Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
ATP Electronics Inc. A4G08QA8BNPBSE 8GB
Nanya Technology NT512T64UH8B0FN-3C 512MB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Gloway International (HK) STK2133C15-8GB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link