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OCZ OCZ2SI8002G 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Comparez
OCZ OCZ2SI8002G 2GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Note globale
OCZ OCZ2SI8002G 2GB
Note globale
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
OCZ OCZ2SI8002G 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
17.2
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,113.6
14.5
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
50
Autour de -67% latence réduite
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
OCZ OCZ2SI8002G 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
50
30
Vitesse de lecture, GB/s
5,000.0
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
2,113.6
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
824
3505
OCZ OCZ2SI8002G 2GB Comparaison des RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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