RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
OCZ OCZ2SI8002G 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Confronto
OCZ OCZ2SI8002G 2GB vs Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Punteggio complessivo
OCZ OCZ2SI8002G 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
OCZ OCZ2SI8002G 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
17.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,113.6
14.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
50
Intorno -67% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
OCZ OCZ2SI8002G 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
50
30
Velocità di lettura, GB/s
5,000.0
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
2,113.6
14.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
824
3505
OCZ OCZ2SI8002G 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N
OCZ OCZ2SI8002G 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FD 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
SK Hynix HMT41GS6BFR8A-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire CL19-25-25 D4-4000 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link