RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Comparez
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Note globale
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Note globale
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
5
22.3
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
39
Autour de -30% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
16.3
1,597.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
5300
Autour de 3.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
39
30
Vitesse de lecture, GB/s
5,022.9
22.3
Vitesse d'écriture, GB/s
1,597.0
16.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
17000
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
753
3697
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Comparaison des RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHX3466C17D4/16GX 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 9965596-035.B00G 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FAD 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Kingston HP16D3LS1KBG/4G 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link