RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Porównaj
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB vs G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Wynik ogólny
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
5
22.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
39
Wokół strony -30% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
1,597.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
5300
Wokół strony 3.21 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
39
30
Prędkość odczytu, GB/s
5,022.9
22.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,597.0
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
17000
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
753
3697
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB Porównanie pamięci RAM
A Force Manufacturing Ltd. 256X64M-67E 2GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link