RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Comparez
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Note globale
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Note globale
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
24
63
Autour de -163% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
6.1
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.5
5.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
10600
Autour de 1.6 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
63
24
Vitesse de lecture, GB/s
6.1
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
5.0
13.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
17000
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1274
2703
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB Comparaison des RAM
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB Comparaison des RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBR2 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
INTENSO 5641160 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2400C16 16GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Corsair CM4X4GF2400Z16K4 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link