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PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Confronto
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Punteggio complessivo
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
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Motivi da considerare
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
63
Intorno -163% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17
6.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.5
5.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
63
24
Velocità di lettura, GB/s
6.1
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
5.0
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1274
2703
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB Confronto tra le RAM
AMD R7416G2133U2S 16GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
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