RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Comparez
PNY Electronics PNY 2GB vs A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Note globale
PNY Electronics PNY 2GB
Note globale
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
PNY Electronics PNY 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
27
35
Autour de 23% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
13.8
13.7
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.4
7.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
10600
Autour de 1.81 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
27
35
Vitesse de lecture, GB/s
13.8
13.7
Vitesse d'écriture, GB/s
8.4
7.9
Largeur de bande de la mémoire, mbps
10600
19200
Other
Description
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2274
2237
PNY Electronics PNY 2GB Comparaison des RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB Comparaison des RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Kingston 9905633-017.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3600 4GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link