RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Сравнить
PNY Electronics PNY 2GB против A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
-->
Средняя оценка
PNY Electronics PNY 2GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
PNY Electronics PNY 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
35
Около 23% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.8
13.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.4
7.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
PNY Electronics PNY 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
27
35
Скорость чтения, Гб/сек
13.8
13.7
Скорость записи, Гб/сек
8.4
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2274
2237
PNY Electronics PNY 2GB Сравнения RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
A-DATA Technology AO2P24HC8T1-BTBS 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKO 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESCK.M8FE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
SK Hynix HMP125U6EFR8C-S6 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD2 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMD128GX4M8B2800C14 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link