RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Comparez
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB vs V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Note globale
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Note globale
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
43
67
Autour de 36% latence réduite
Raisons de considérer
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.2
11.4
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
8.3
7.7
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
43
67
Vitesse de lecture, GB/s
11.4
16.2
Vitesse d'écriture, GB/s
7.7
8.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
1823
1798
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB Comparaison des RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Kingston HP26D4U6D8ME-16X 16GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB Comparaison des RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CMW128GX4M4E3200C16 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
V-GEN D4H4GL26A8TS5 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Corsair CMT32GX5M2X5600C36 16GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C15 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30CESTK.8FD 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link