RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
50
Autour de 50% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.1
9.6
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Signaler un bogue
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
50
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
9.6
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
8.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
2111
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905624-036.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZRC 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.C16FE 32GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZC 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link