RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Сравнить
Samsung 1600 CL10 Series 8GB против Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
-->
Средняя оценка
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
33
Около 24% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
15.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
12.9
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
33
Скорость чтения, Гб/сек
16.1
15.3
Скорость записи, Гб/сек
10.1
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2764
3315
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT32G4DFD8266.M16FB 32GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1B1 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMSX64GX4M2A3200C22 32GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZRB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link