RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Comparez
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Note globale
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Note globale
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
25
66
Autour de 62% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
10.1
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
16.5
16.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
12800
Autour de 1.66 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
25
66
Vitesse de lecture, GB/s
16.1
16.5
Vitesse d'écriture, GB/s
10.1
9.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
21300
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2764
1934
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Smart Modular SF464128CK8I6GKSEG 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3170MN68F9F1600 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMT64GX4M8Z3600C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link